這些 MOSFET 使用 MagnaChip 的超級接線盒技術提供低接通電阻和柵極電荷。 通過采用優化的電荷耦合技術可使其高效。
低 EMI
具有高速切換和低接通電阻，提供低功耗
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 11 A |
| 最大漏源電壓 | 600 V |
| 封裝類型 | TO-220F |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 360 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 最大功率耗散 | 31 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -30 V、+30 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 長度 | 10.71mm |
| 晶體管材料 | Si |
| 寬度 | 4.93mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 28 nC @ 10 V |
