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      onsemi FDS4435BZ MOSFET

      訂 貨 號:FDS4435BZ      品牌:安森美_Onsemi

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      onsemi FDS4435BZ MOSFET
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      汽車 P 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor

      Fairchild Semiconductor 提供的解決方案可解決汽車市場的復雜難題,具有嚴謹的質量控制、安全和可靠性標準。

      半導體 MOSFET 晶體管,半

      在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業標準和耐熱增強型封裝中。
      在半 MOSFET 上,可提供卓越的設計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統保持較長的運行時間。


      屬性 數值
      通道類型 P
      最大連續漏極電流 8.8 A
      最大漏源電壓 30 V
      封裝類型 SOIC
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數目 8
      最大漏源電阻值 20 MΩ
      通道模式 增強
      最小柵閾值電壓 1V
      最大功率耗散 2500 mW
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -25 V、+25 V
      晶體管材料 Si
      長度 5mm
      最高工作溫度 +150 °C
      每片芯片元件數目 1
      典型柵極電荷@Vgs 29 nC @ 10 V
      寬度 4mm
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