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      MagnaChip MDP11N60TH MOSFET

      訂 貨 號:MDP11N60TH      品牌:

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      MagnaChip MDP11N60TH MOSFET
      產品詳細信息

      高電壓 (HV) MOSFET

      高電壓,N 通道 MOSFET,帶低通態電阻和高切換性能。

      MOSFET 晶體管,MagnaChip


      屬性 數值
      通道類型 N
      最大連續漏極電流 11 A
      最大漏源電壓 660 V
      封裝類型 TO-220
      安裝類型 通孔
      引腳數目 3
      最大漏源電阻值 550 mΩ
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 5V
      最大功率耗散 182 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -30 V、+30 V
      每片芯片元件數目 1
      寬度 4.83mm
      典型柵極電荷@Vgs 38.4 nC @ 10 V
      最高工作溫度 +150 °C
      晶體管材料 Si
      長度 10.67mm
      暫無

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