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      Infineon IPB027N10N3GATMA1 MOSFET

      訂 貨 號:IPB027N10N3GATMA1      品牌:GAT

      庫存數量:10             品牌屬性:進口

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      Infineon IPB027N10N3GATMA1 MOSFET
      產品詳細信息

      Infineon OptiMOS?3 功率 MOSFET,100V 及以上

      MOSFET 晶體管,Infineon

      Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業標準的 MOSFET。


      屬性 數值
      通道類型 N
      最大連續漏極電流 120 A
      最大漏源電壓 100 V
      封裝類型 D2PAK (TO-263)
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數目 3
      最大漏源電阻值 4.5mΩ
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 3.5V
      最小柵閾值電壓 2V
      最大功率耗散 300 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -20 V、+20 V
      每片芯片元件數目 1
      典型柵極電荷@Vgs 155 nC @ 10 V
      長度 10.31mm
      最高工作溫度 +175 °C
      寬度 9.45mm
      暫無

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