DiodesZetex 生產的新一代互補 MOSFET H 電橋，可通過低柵極驅動實現低導通電阻。這種環保器件完全不含鉛、鹵素和銻。此款 MOSFET 采用 SO-8 封裝。具有開關速度快和輸送電容低的特點。工作溫度范圍 -55°C 至 +150°C。
最大漏極-源極電壓 40 V 最大柵極-源極電壓 ±20 V 2 個 N 溝道和 2 個 P 通道，采用 SOIC 封裝 導通電阻低
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N，P |
| 最大連續漏極電流 | 2.9 A，4.5 A |
| 最大漏源電壓 | 40 V |
| 封裝類型 | SOIC |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.1 O，0.058 O |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3V |
