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      德州儀器 CSD16570Q5BT MOSFET

      訂 貨 號:CSD16570Q5BT      品牌:

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      德州儀器 CSD16570Q5BT MOSFET
      產品詳細信息

      N 通道 NexFET? 功率 MOSFET,Texas Instruments

      MOSFET 晶體管,Texas Instruments


      屬性 數值
      通道類型 N
      最大連續漏極電流 456 A
      最大漏源電壓 25 V
      封裝類型 VSON-CLIP
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數目 8
      最大漏源電阻值 820 μΩ
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 1.9V
      最小柵閾值電壓 1.1V
      最大功率耗散 195 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -20 V、+20 V
      長度 5mm
      最高工作溫度 +150 °C
      寬度 6mm
      每片芯片元件數目 1
      典型柵極電荷@Vgs 192 nC @ 10 V,95 nC @ 4.5 V
      晶體管材料 Si
      暫無

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