OptiMOS? 產品提供高性能封裝，可處理最具挑戰性的應用，在有限空間提供全部靈活性。 這些 Infineon 產品經的設計符合并超過計算機應用中更嚴格的下一代電壓調節標準的能效和功率密度要求。
快速切換 MOSFET，用于 SMPS
優化技術，用于直流/直流轉換器
符合目標應用的 JEDEC1 規格
N 通道，邏輯電平
極佳的柵極電荷 x R DS(on) 產品 (FOM)
極低導通電阻 R DS(on)
無鉛電鍍
Infineon TO-252-3 表面安裝 N 通道 MOSFET 是一款新型產品、在 10V 柵源電壓下具有 5.3 毫歐姆的漏源電阻。MOSFET 具有 90A 的連續漏極電流。它的最大柵源電壓為 20V 、漏源電壓為 80V 。它的最大功耗為 150W 。 MOSFET 的最小和最大驅動電壓分別為 6V 和 10V 。它經過優化、可降低開關和傳導損耗。MOSFET 可應對最具挑戰性的應用、在有限的空間內提供完全的靈活性。它旨在滿足并超越計算應用中經過強化的下一代電壓調節標準的能效和功率密度要求。MOSFET 可提供卓越的效率以及較長的使用壽命、而不會影響性能或功能。
?雙面冷卻
?出色的柵極充電 x R DS （開）產品（ FOM ）
? 無鹵素
?無鉛 (Pb) 電鍍
?寄生電感低
?薄型（< 0 、 7mm ）
?工作溫度范圍在 -55°C 和 175°C 之間
?優化的直流 - 直流轉換器技術
?優異的熱阻
?電阻極低
?交流 - 直流
?適配器
?直流 - 直流
? LED
? 電動機控制
? PC 電源
?服務器電源
? SMPS
? 太陽能
? 電信
? ANSI/ESD S20.20 ： 2014
? BS EN 61340-5-1 ： 2007
? IEC61249 - 2-21
? JEDEC
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業標準的 MOSFET。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 90 A |
| 最大漏源電壓 | 80 V |
| 封裝類型 | DPAK (TO-252) |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 9.5 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3.5V |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 150 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 晶體管材料 | Si |
| 典型柵極電荷@Vgs | 52 nC @ 10 V |
| 長度 | 6.73mm |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 寬度 | 6.22mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
