<rt id="m4md3"></rt>
  • <bdo id="m4md3"><meter id="m4md3"></meter></bdo>
  • <label id="m4md3"></label>
      <center id="m4md3"><optgroup id="m4md3"></optgroup></center>
      產品分類

      當前位置: 首頁 > 工業電子產品 > 無源元器件 > MOSFET > NMOSFET

      +比較

      英飛凌 IPD036N04LGBTMA1 MOSFET

      訂 貨 號:IPD036N04LGBTMA1      品牌:英飛凌_Infineon

      庫存數量:10             品牌屬性:進口

      品牌商價:¥0.00

      環 球 價: 登陸后可查看

      -
      +

      公司基本資料信息







      • 關聯產品
      • 替代產品
      • 產品介紹
      • 產品屬性
      • 相關資料
      • 產品評價(0)
      英飛凌 IPD036N04LGBTMA1 MOSFET
      產品詳細信息

      IInfineon OptiMOS?3 功率 MOSFET,高達 40V

      OptiMOS?產品提供高效能封裝,以解決最具挑戰性的應用,在有限空間內提供完全的靈活性。 這些 Infineon 產品經的設計符合并超過計算機應用中更嚴格的下一代電壓調節標準的能效和功率密度要求。

      快速切換 MOSFET,用于 SMPS
      優化技術,用于直流/直流轉換器
      符合目標應用的 JEDEC1 規格
      N 通道,邏輯電平
      極佳的柵極電荷 x R DS(on) 產品 (FOM)
      極低導通電阻 R DS(on)
      無鉛電鍍

      MOSFET 晶體管,Infineon

      Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業標準的 MOSFET。


      屬性 數值
      通道類型 N
      最大連續漏極電流 90 A
      最大漏源電壓 40 V
      封裝類型 DPAK (TO-252)
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數目 3
      最大漏源電阻值 4.9 mΩ
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 2V
      最小柵閾值電壓 1.2V
      最大功率耗散 94 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -20 V、+20 V
      長度 6.73mm
      晶體管材料 Si
      最高工作溫度 +175 °C
      寬度 6.22mm
      每片芯片元件數目 1
      典型柵極電荷@Vgs 59 nC @ 10 V
      暫無

      正在載入評論詳細...
      主站蜘蛛池模板: 亚洲国产精品综合一区在线| 国产成人综合久久精品下载 | 色777狠狠狠综合| 久久综合丁香激情久久| 精品综合久久久久久97超人| 人人狠狠综合久久亚洲婷婷| 色欲香天天天综合网站| 五月天综合色激情| 亚洲国产成人久久综合碰| 狠狠色丁香婷婷综合尤物| 色欲综合久久躁天天躁蜜桃| 五月综合色婷婷影院在线观看| 国产一级a爱做综合| 欧美日韩色另类综合| 琪琪五月天综合婷婷| 亚洲人成网站999久久久综合| 中文字幕久久综合| 香蕉99久久国产综合精品宅男自| 一本色道久久99一综合| 一本色道久久88亚洲综合| 久久综合久久综合久久综合| 色老头综合免费视频| 色综合视频一区二区三区44| 亚洲人成伊人成综合网久久久| 色综合综合色综合色综合| 情人伊人久久综合亚洲| 狠狠亚洲婷婷综合色香五月排名 | 国产精品综合一区二区三区| 色欲人妻综合AAAAA网| 国产综合一区二区| 亚洲综合日韩久久成人AV| 亚洲综合久久夜AV | 熟天天做天天爱天天爽综合网| 青青草原综合久久大伊人精品| 亚洲国产综合精品中文第一| 亚洲综合校园春色| 亚洲国产综合AV在线观看| 色综合视频一区二区三区44| 国产一区二区三区亚洲综合| 熟天天做天天爱天天爽综合网| 亚洲精品第一国产综合精品99|