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Infineon IPD034N06N3GATMA1 MOSFET

訂貨號：IPD034N06N3GATMA1 品牌：GAT

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屬性	數值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	100 A
最大漏源電壓	60 V
封裝類型	DPAK (TO-252)
安裝類型	表面貼裝
引腳數目	3
最大漏源電阻值	3.4 mΩ
通道模式	增強
最大柵閾值電壓	4V
最小柵閾值電壓	2V
最大功率耗散	167 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
每片芯片元件數目	1
寬度	6.223mm
典型柵極電荷@Vgs	98 nC @ 10 V
長度	6.73mm
晶體管材料	Si
最高工作溫度	+175 °C

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