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Infineon IRL40B212 MOSFET

訂貨號(hào)：IRL40B212 品牌：國(guó)際整流器_IR

庫(kù)存數(shù)量：10 品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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StrongIRFET? Logic-Level 功率 MOSFET，Infineon

是 Infineon StrongIRFET 系列的擴(kuò)展，針對(duì) +5V 邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)的優(yōu)化。它們共享與現(xiàn)有 StrongIRFET 系列相同的特性，如低 R_DS（接通）用于提供更大效率，及高電路載流量用于提高耐用性和操作可靠性。

最佳 R_DS（接通）@ V_GS = +4.5V
適用于電池供電系統(tǒng)
應(yīng)用范圍：電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、同步整流器系統(tǒng)、OR-ing 和冗余電源開關(guān)、直流-直流轉(zhuǎn)換器

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	254 A
最大漏源電壓	40 V
封裝類型	D2PAK (TO-263)
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	2.4 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最大柵閾值電壓	2.4V
最小柵閾值電壓	1V
最大功率耗散	231 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
每片芯片元件數(shù)目	1
典型柵極電荷@Vgs	91 nC
長(zhǎng)度	10.67mm
最高工作溫度	+175 °C
寬度	9.65mm
晶體管材料	Si

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