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      onsemi FQB6N80TM MOSFET

      訂 貨 號:FQB6N80TM      品牌:安森美_Onsemi

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      onsemi FQB6N80TM MOSFET
      產品詳細信息

      QFET? N 通道 MOSFET,高達 5.9A,Fairchild Semiconductor

      Fairchild Semiconductor 的新型 QFET? 平面 MOSFET 使用先進的專利技術為廣泛的應用提供最佳的工作性能,包括電源、PFC(功率因數校正)、直流-直流轉換器、等離子顯示面板 (PDP)、照明鎮流器和運動控制。
      它們通過降低導通電阻 (RDS(on)) 來減少通態損耗,并通過降低柵極電荷 (Qg) 和輸出電容 (Coss) 來減少切換損耗。 通過使用先進的 QFET? 工藝技術,Fairchild 可提供比競爭平面 MOSFET 設備更高的品質因素 (FOM)。

      半導體 MOSFET 晶體管,半

      在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業標準和耐熱增強型封裝中。
      在半 MOSFET 上,可提供卓越的設計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統保持較長的運行時間。


      屬性 數值
      通道類型 N
      最大連續漏極電流 5.8 A
      最大漏源電壓 800 V
      封裝類型 D2PAK (TO-263)
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數目 3
      最大漏源電阻值 1.95 Ω
      通道模式 增強
      最小柵閾值電壓 3V
      最大功率耗散 3.13 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -30 V、+30 V
      最高工作溫度 +150 °C
      每片芯片元件數目 1
      寬度 9.65mm
      長度 10.67mm
      典型柵極電荷@Vgs 31 nC @ 10 V
      晶體管材料 Si
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