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      Vishay SQD19P06-60L_GE3 MOSFET

      訂 貨 號:SQD19P06-60L_GE3      品牌:威世_Vishay

      庫存數量:10             品牌屬性:進口

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      Vishay SQD19P06-60L_GE3 MOSFET
      產品詳細信息

      P 通道 MOSFET,SQ 堅固系列,Vishay Semiconductor

      MOSFET 晶體管,Vishay Semiconductor


      屬性 數值
      通道類型 P
      最大連續漏極電流 11 A
      最大漏源電壓 60 V
      封裝類型 DPAK (TO-252)
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數目 3
      最大漏源電阻值 125 mΩ
      通道模式 增強
      最小柵閾值電壓 1.5V
      最大功率耗散 46 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -20 V、+20 V
      每片芯片元件數目 1
      長度 6.73mm
      寬度 6.22mm
      典型柵極電荷@Vgs 10 V 時,27 常閉
      最高工作溫度 +175 °C
      晶體管材料 Si
      暫無

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