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      Fairchild Semiconductor FDD14AN06LA0_F085 MOSFET

      訂 貨 號:FDD14AN06LA0_F085      品牌:IRC

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      Fairchild Semiconductor FDD14AN06LA0_F085 MOSFET
      產品詳細信息

      PowerTrench? N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor

      半導體 MOSFET 晶體管,半

      在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業標準和耐熱增強型封裝中。
      在半 MOSFET 上,可提供卓越的設計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統保持較長的運行時間。


      屬性 數值
      通道類型 N
      最大連續漏極電流 50 A
      最大漏源電壓 60 V
      封裝類型 DPAK
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數目 3
      最大漏源電阻值 33 mΩ
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 3V
      最小柵閾值電壓 1V
      最大功率耗散 125 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -20 V、+20 V
      每片芯片元件數目 1
      長度 6.73mm
      最高工作溫度 +175 °C
      寬度 6.22mm
      典型柵極電荷@Vgs 25 nC @ 5 V
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