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Fairchild Semiconductor FDMC4435BZ_F126 MOSFET

訂貨號(hào)：FDMC4435BZ_F126 品牌：IRC

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PowerTrench? P 通道 MOSFET，F(xiàn)airchild Semiconductor

PowerTrench? MOSFET 是優(yōu)化的電源開關(guān)，可提高系統(tǒng)效率和功率密度。它們組合了小柵極電荷 (Qg)、小反向恢復(fù)電荷 (Qrr) 和軟性反向恢復(fù)主體二極管，有助于快速切換交流/直流電源中的同步整流。
最新的 PowerTrench? MOSFET 采用屏蔽柵極結(jié)構(gòu)，可提供電荷平衡。利用這一先進(jìn)技術(shù)，這些設(shè)備的 FOM（品質(zhì)因素）顯著低于之前的 FOM。
PowerTrench? MOSFET 的軟性主體二極管性能可無需緩沖電路或替換更高額定電壓的 MOSFET。

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管，半

在半自動(dòng)模式下， MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設(shè)計(jì)可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長的運(yùn)行時(shí)間。

屬性	數(shù)值
通道類型	P
最大連續(xù)漏極電流	18 A
最大漏源電壓	30 V
封裝類型	MLP
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	8
最大漏源電阻值	21 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最小柵閾值電壓	1V
最大功率耗散	31 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-25 V、+25 V
長度	3.3mm
典型柵極電荷@Vgs	38 nC @ 10 V
晶體管材料	Si
寬度	3.3mm
最高工作溫度	+150 °C
每片芯片元件數(shù)目	1

暫無

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