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      產(chǎn)品分類

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      +比較

      IXYS IXFH80N65X2-4 MOSFET

      訂 貨 號(hào):IXFH80N65X2-4      品牌:艾賽思_IXYS

      庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







      • 關(guān)聯(lián)產(chǎn)品
      • 替代產(chǎn)品
      • 產(chǎn)品介紹
      • 產(chǎn)品屬性
      • 相關(guān)資料
      • 產(chǎn)品評(píng)價(jià)(0)
      IXYS IXFH80N65X2-4 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      低 RDS(接通)和 Qg
      快速體二極管
      dv/dt 穩(wěn)定
      雪崩等級(jí)
      低封裝電感
      國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)封裝
      諧振模式電源
      高強(qiáng)度放電 (HID) 燈鎮(zhèn)流器
      交流和直流電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器
      直流 - 直流轉(zhuǎn)換器
      機(jī)器人和伺服控制
      電池充電器
      3 級(jí)太陽(yáng)能逆變器
      LED 照明
      無(wú)人機(jī) (UAV)
      效率更高
      高功率密度
      安裝簡(jiǎn)便
      節(jié)省空間


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 80 A
      最大漏源電壓 650 V
      封裝類型 TO-247
      安裝類型 通孔
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 38 mΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 5V
      最小柵閾值電壓 3.5V
      最大功率耗散 890 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 ±30 V
      典型柵極電荷@Vgs 140 @ 10 V nC
      長(zhǎng)度 16.13mm
      每片芯片元件數(shù)目 1
      寬度 5.21mm
      最高工作溫度 +150 °C
      暫無(wú)

      正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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