Infineon HEXFET 功率 MOSFET 采用雙 SO-8 封裝，利用最新處理技術實現每硅區域極低接通電阻。高效 SO-8 封裝提供增強的熱特性和雙 MOSFET 模具能力，使其特別適用于各種電源應用。
Advanced 平面技術
動態 DV/dT 額定值
邏輯電平柵極驅動
175°C 工作溫度
快速切換
無導線
符合 RoHS
符合汽車規格
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 5.1 A |
| 最大漏源電壓 | 55 V |
| 封裝類型 | SO |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.5 Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 3V |
| 晶體管材料 | Si |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
