與前幾代的功率MOSFET 相比， IXYS X2 類 HiPerFET 功率MOSFET 系列顯著降低電阻和柵極電荷，從而降低了損耗，提高了操作效率。這些堅固耐用的器件包含增強型高速固有二極管，適用于硬切換和諧振模式應用。X2 類功率MOSFET可采用多種行業標準封裝，包括隔離型，在 650V 時額定電流高達 120A。典型應用包括直流 - 直流轉換器，交流和直流電動機驅動器，開關模式和諧振模式電源，直流截波器，太陽能逆變器，溫度和照明控制。
非常低的 RDS (接通) 和 QG (柵極電荷)
快速固有整流器二極管
低固有柵極電阻
低封裝電感
工業標準封裝
低 RDS（接通）和 Qg
快速體二極管
dv/dt 穩定
雪崩等級
低封裝電感
國際標準封裝
諧振模式電源
高強度放電 (HID) 燈鎮流器
交流和直流電動機驅動器
直流 - 直流轉換器
機器人和伺服控制
電池充電器
3 級太陽能逆變器
LED 照明
無人機 (UAV)
效率更高
高功率密度
安裝簡便
節省空間
IXYS 的一系列高級離散電源 MOSFET 設備
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 120 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | TO-264P |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 24 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 5V |
| 最小柵閾值電壓 | 2.7V |
| 最大功率耗散 | 1.25 kW |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -30 V、+30 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
| 典型柵極電荷@Vgs | 240 nC @ 10 V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 寬度 | 26.3mm |
| 長度 | 20.3mm |
