Infineon p 溝道 MOSFET 利用最新處理技術實現(xiàn)每硅區(qū)域低接通電阻。此優(yōu)勢結(jié)合 HEXFET 功率非常適合聞名的快速切換速度和耐震設備設計,為設計人員提供極其高效和可靠的設備,適用于汽車和各種其他應用。
它是無鉛的
它符合 RoHS 標準
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | P |
最大連續(xù)漏極電流 | 13 A |
最大漏源電壓 | 100 V |
封裝類型 | DPAK |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 0.205 Ω |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 4V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | 硅 |