Microchip 2N7008 是增強模式（常閉）晶體管，利用垂直 DMOS 結構。 該設計將 Bipolar 晶體管的功率處理能力與高輸入阻抗和正溫度系數 MOS 設備相結合。
無次級擊穿
低電源驅動要求
易于執行并聯操作
低 CISS 和快速切換速度
極好的熱穩定性
一體式電源漏極二極管
高輸入阻抗和高增益
Microchip 2N7008 N 通道增強型 (常閉) 晶體管采用垂直 DMOS 結構和久經考驗的硅柵極制造工藝。此組合可使設備具有雙極晶體管的功率處理能力，以及 MOS 設備固有的高輸入阻抗和正溫度系數。此設備不會發生熱耗散和熱感應次級擊穿。垂直 DMOS FET 特別適用于需要極低閾值電壓，高擊穿電壓，高輸入阻抗，低輸入電容和快速切換速度的各種切換和放大應用。
無次級擊穿
低功率驅動要求
易于并聯
低 CISS 和快速切換速度
極好的熱穩定性
一體式源極-漏極二極管
高輸入阻抗和高增益
無鉛 (Pb)
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 230 mA |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | TO-92 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 7.5 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.5V |
| 最小柵閾值電壓 | 1V |
| 最大功率耗散 | 1 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -30 V、+30 V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 寬度 | 4.06mm |
| 長度 | 5.08mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
