the Infineon coolmos ? P7 超結(jié)（ sj ） mosfet 設計可提供出色的性能和易用性，從而改善外形和價格競爭力，從而應對低功率開關(guān)電源市場的典型挑戰(zhàn)。這款采用了此種方法的、具有成本效益的一對一嵌入式 dak 替代產(chǎn)品、還可在某些設計中減少印跡。它可放置在典型的 dak 印跡上、并顯示可比較的熱性能。這種組合使采用了第 223-223 封裝的 coolmos ? P7 特別適用于其目標應用。

最佳配接性能超結(jié)技術(shù)
經(jīng)濟實惠的封裝解決方案
杰出的性價