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Fairchild Semiconductor FDD20AN06A0_F085 MOSFET

訂貨號：FDD20AN06A0_F085 品牌：IRC

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在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設(shè)計(jì)可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長的運(yùn)行時(shí)間。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	45 A
最大漏源電壓	60 V
封裝類型	DPAK (TO-252)
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	47 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最大柵閾值電壓	4V
最小柵閾值電壓	2V
最大功率耗散	90 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
長度	6.73mm
最高工作溫度	+175 °C
晶體管材料	Si
寬度	6.22mm
每片芯片元件數(shù)目	1
典型柵極電荷@Vgs	15 nC @ 10 V

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