Infineon 系列分離式 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道設(shè)備,采用表面安裝和引線封裝。 形狀系數(shù)可解決大多數(shù)板布局和熱設(shè)計挑戰(zhàn)問題。 在整個范圍內(nèi),基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗,讓設(shè)計人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。
International Rectifier 的第五代 HEXFETS 利用最新工藝技術(shù)實現(xiàn)每硅區(qū)域極低接通電阻。此優(yōu)勢結(jié)合 HEXFET 功率 MOSFET 著名的快速切換速度和耐震器件設(shè)計,為設(shè)計人員提供極其高效和可靠的器件,適用于廣泛的應(yīng)用。SO-8 經(jīng)改良通過自定義引線框增強(qiáng)熱特性和多模能力,特別適合各種電源應(yīng)用。憑借這些改進(jìn),用戶可以在應(yīng)用中使用多個設(shè)備,顯著減少板空間。該封裝設(shè)計用于汽相、紅外線或波峰焊接技術(shù)。
低 RDS(接通)
行業(yè)領(lǐng)先的質(zhì)量
動態(tài) dv/dt 額定值
快速切換
175°C 工作溫度
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 7 A |
最大漏源電壓 | 30 V |
封裝類型 | SO |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 50 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最小柵閾值電壓 | 1V |
最大功率耗散 | 2.5 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±20 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
寬度 | 4mm |
長度 | 5mm |
典型柵極電荷@Vgs | 18 nC @ 10 V |
最高工作溫度 | +150 °C |