the Infineon 600V coolmos ? CFD7 superjunction mosfet IPB60R055CFD7 采用 D2PAK 封裝,特別適用于高功率開關電源中的諧振拓撲,例如服務器、電信和 ev 充電站,在那里可以顯著提高效率。作為 CFD2 sj mosfet 系列的后續產品、它與競爭對手相比、具有更低的柵極電荷、更好的關閉行為和高達 69% 的反向恢復電荷。
超快主體二極管
同類杰出的反向恢復充電( qrr )
改進了反向二極管 dv/dt 和 dif/dt 堅固性
最低 fom rds (接通) x qg 和 eoss
同類杰出的 rds (接通) / 封裝
屬性 | 數值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續漏極電流 | 38 A |
最大漏源電壓 | 600 V |
封裝類型 | D2PAK (TO-263) |
引腳數目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 55 米Ω |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 4.5V |
晶體管材料 | Si |
每片芯片元件數目 | 1 |