Infineon 具有 SiC MOSFET ,以 TO247 4 引腳封裝提供可靠且經(jīng)濟高效的性能。CoolSiC MOSFET 技術利用了碳化硅的強大物理特性,增加了獨特的功能,可提高設備的性能,堅固性和易用性。MOSFET 650V 基于最先進的溝道半導體構(gòu)建,經(jīng)過優(yōu)化可在應用中實現(xiàn)最低損耗和最高操作可靠性方面不受影響。
低電容
優(yōu)化了高電流時的切換行為
卓越的柵極氧化物可靠性
極佳的熱行為
增強的耐雪崩能力
可與標準驅(qū)動程序一起使用
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 28 A |
最大漏源電壓 | 650 V |
封裝類型 | PG-TO247 |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 4 |
最大漏源電阻值 | 0.094 Ω |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 5.7V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | 硅 |