Taiwan Semiconductor TSM650N15CS RLG MOSFET
產品詳細信息
| 屬性 |
數值 |
| 通道類型 |
N |
| 最大連續漏極電流 |
9 A |
| 最大漏源電壓 |
150 V |
| 封裝類型 |
SOP |
| 安裝類型 |
表面貼裝 |
| 引腳數目 |
8 |
| 最大漏源電阻值 |
80 mΩ |
| 通道模式 |
增強 |
| 最大柵閾值電壓 |
4V |
| 最小柵閾值電壓 |
2V |
| 最大功率耗散 |
12.5 W |
| 晶體管配置 |
單 |
| 最大柵源電壓 |
±20 V |
| 典型柵極電荷@Vgs |
24 nC @ 6 V、37 nC @ 10 V |
| 最高工作溫度 |
+150 °C |
| 長度 |
4.85mm |
| 每片芯片元件數目 |
1 |
| 寬度 |
3.9mm |
