Infineon AUIRF7343QTR 專門設(shè)計用于汽車應(yīng)用,這些 HEXFET? 功率 MOSFET 采用雙 SO-8 封裝,利用最新處理技術(shù),可實現(xiàn)每硅區(qū)域的極低接通電阻。這些符合汽車標準的 HEXFET 功率 MOSFET 的其他功能包括 150°C 接點工作溫度、快速切換速度和改進的重復(fù)浪涌額定值。
高級平面技術(shù),
超低接通電阻,
邏輯電平門
驅(qū)動,雙 N 和 P 通道 MOSFET,
表面安裝,
提供膠帶和卷裝,工作溫度
為
150°C,無鉛,符合 RoHS 標準
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N,P |
最大連續(xù)漏極電流 | 4A |
最大漏源電壓 | 55v |
封裝類型 | SOIC |
安裝類型 | 表面安裝器件 |