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Infineon AUIRF7675M2TR1 MOSFET

訂貨號(hào)：AUIRF7675M2TR1 品牌：國際整流器_IR

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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汽車 DirectFET?2 功率 MOSFET，Infineon

DirectFET ?2 功率MOSFET 提供卓越的功率密度、雙面冷卻以及低寄生電感和電阻，采用堅(jiān)固符合 AEC-Q101 的封裝，適用于汽車應(yīng)用。 DirectFET?2 MOSFET 是久經(jīng)考驗(yàn)的 DirectFET 封裝技術(shù)的可靠性和性能與 Infineon 的最新通道硅工藝的完美組合，在整體系統(tǒng)級(jí)尺寸、成本和效率方面均有改進(jìn)。

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	18 A
最大漏源電壓	150 V
封裝類型	DirectFET SB
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	7
最大漏源電阻值	56 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最大柵閾值電壓	5V
最小柵閾值電壓	3V
最大功率耗散	45 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
每片芯片元件數(shù)目	1
最高工作溫度	+175 °C
長度	6.35mm
寬度	5.05mm
典型柵極電荷@Vgs	21 nC @ 10 V
晶體管材料	Si

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