當(dāng)前位置: 首頁(yè) > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無(wú)源元器件 > MOSFET > NMOSFET
+比較
訂 貨 號(hào):STI28N60M2 品牌:意法半導(dǎo)體_ST
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
這些設(shè)備是采用 MDmesh? M2 技術(shù)開(kāi)發(fā)的 N 溝道功率 MOSFET。得益于其條狀布局和改進(jìn)的垂直結(jié)構(gòu),這些設(shè)備具有低接通電阻和優(yōu)化的切換特點(diǎn),非常適合最嚴(yán)苛的高效率轉(zhuǎn)換器。
極低柵極電荷
極佳的輸出電容 (COSS) 曲線
經(jīng)過(guò) 100% 雪崩測(cè)試
齊納保護(hù)
極低 Qg 可提高效率
為諧振電源(LLC 轉(zhuǎn)換器)優(yōu)化的柵極電荷和電容曲線
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 22 A |
最大漏源電壓 | 650 V |
封裝類型 | I2PAK |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 150 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 4V |
最小柵閾值電壓 | 2V |
最大功率耗散 | 170 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | +25 V |
寬度 | 4.6mm |
長(zhǎng)度 | 10.4mm |
典型柵極電荷@Vgs | 36 nC @ 10 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
最高工作溫度 | +150 °C |