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      Vishay SI1401EDH-T1-GE3 MOSFET

      訂 貨 號:SI1401EDH-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

      庫存數量:10             品牌屬性:進口

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      Vishay SI1401EDH-T1-GE3 MOSFET
      產品詳細信息

      Vishay MOSFET

      Vishay 表面安裝 P 溝道 MOSFET 是一種新時代的產品,漏極源電壓為 12V ,最大柵極源電壓為 10V。在 4.5V 的柵極源電壓下,漏極源電阻為 34mohm。它的最大功耗為 2.8W ,連續漏極電流為 4A。此晶體管的最小和最大驅動電壓分別為 1.5V 和 4.5V。MOSFET 經優化可降低開關和傳導損耗。MOSFET 提供出色的效率以及長且高效的使用壽命,而不會影響性能或功能。

      特點和優勢

      ? 無鹵素
      ?無鉛 (Pb)
      ?工作溫度范圍 -55°C 至 150°C
      ? TrenchFET 功率 MOSFET
      ?典型 ESD 性能 1500V

      應用

      ?移動電話
      ? DSC
      ? GPS
      ?負載開關
      ? MP3
      ?便攜式設備的 PA 開關和電池開關
      ?便攜式游戲機

      認證

      ? ANSI/ESD S20.20 : 2014
      ? BS EN 61340-5-1 : 2007
      ? IEC 61249-2-21
      ?經過 RG 測試


      屬性 數值
      通道類型 P
      最大連續漏極電流 4 A
      最大漏源電壓 12 V
      封裝類型 SOT-363
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數目 6
      最大漏源電阻值 0.034 O
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 1V
      每片芯片元件數目 1
      暫無

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