HEXFET? 功率 MOSFET 的這一條紋平面設(shè)計最新加工工藝在單位硅面積實現(xiàn)極低導(dǎo)通電阻。此 HEXFET 功率 MOSFET 的其他功能包括 175°C 結(jié)點工作溫度、快速開關(guān)速度和改進(jìn)的重復(fù)雪崩額定值。這些優(yōu)勢相結(jié)合,形成這款極其高效且可靠的設(shè)備,適合用于各種應(yīng)用。
優(yōu)點:
低 RDS(接通)
動態(tài) dv/dt 額定值
快速切換
175°C 工作溫度
目標(biāo)應(yīng)用:
消費全橋
全橋
推挽式
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 130 A |
最大漏源電壓 | 75 V |
封裝類型 | TO-220AB |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 3 + Tab |
最大漏源電阻值 | 7.8 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 4V |
最小柵閾值電壓 | 2V |
最大功率耗散 | 330 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | 20 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
典型柵極電荷@Vgs | 160 nC @ 10 V |
長度 | 10.67mm |
最高工作溫度 | +175 °C |
寬度 | 4.83mm |