MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDS(on) 和改進的二極管反向恢復(fù)時間,可提高效率,此系列經(jīng)優(yōu)化可用于全橋相移 ZVS 拓撲。
高 dV/dt 能力,可提高系統(tǒng)可靠性
符合 AEC-Q101
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 12 A |
最大漏源電壓 | 600 V |
封裝類型 | TO-247 |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 290 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 4V |
最小柵閾值電壓 | 2V |
最大功率耗散 | 90 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -25 V、+25 V |
晶體管材料 | Si |
最高工作溫度 | +150 °C |
寬度 | 5.15mm |
長度 | 15.75mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
典型柵極電荷@Vgs | 20 nC @ 10 V |