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      產(chǎn)品分類

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      Infineon IGW25N120H3FKSA1 IGBT

      訂 貨 號:IGW25N120H3FKSA1      品牌:英飛凌_Infineon

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價:¥0.00

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      公司基本資料信息







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      Infineon IGW25N120H3FKSA1 IGBT
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      Infineon TrenchStop IGBT 晶體管,電壓 1100 至 1600V

      一系列 Infineon 的 IGBT 晶體管,帶電壓額定值為 1100 至 1600V 的集電極-發(fā)射極,采用 TrenchStop? 技術(shù)。該系列包括帶集成高速、快速恢復(fù)防并聯(lián)二極管的設(shè)備。

      ? 集電極-發(fā)射極電壓范圍 1100 至 1600V
      ? 極低 VCEsat
      ? 低關(guān)閉損耗
      ? 短尾線電流
      ? 低 EMI
      ? 最高接點(diǎn)溫度 175°C

      IGBT 分立件和模塊,Infineon

      絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導(dǎo)體設(shè)備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個設(shè)備中,將 MOSFET 的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。


      屬性 數(shù)值
      最大連續(xù)集電極電流 50 A
      最大集電極-發(fā)射極電壓 1200 V
      最大柵極發(fā)射極電壓 ±20V
      最大功率耗散 326 W
      封裝類型 TO-247
      安裝類型 通孔
      通道類型 N
      引腳數(shù)目 3
      開關(guān)速度 1MHz
      晶體管配置
      尺寸 16.13 x 5.21 x 21.1mm
      暫無

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