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onsemi FGH60N60SMD-F085 IGBT

訂貨號：FGH60N60SMD-F085 品牌：安森美_Onsemi

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替代產(chǎn)品

汽車 IGBT，F(xiàn)airchild Semiconductor

來自 Fairchild Semiconductor 的一系列場截止溝道 IGBT，已通過壓力測試，并符合 AEC-Q101 標準。

特點

? 正溫度系數(shù)易于并行操作
? 高電流容量
? 低飽和電壓
? 高輸入阻抗
? 收緊參數(shù)分布

RS 產(chǎn)品代碼

864-8792 FGB20N60SFD_F085 IGBT 600V 20A D2PAK-2
864-8852 FGH40N60SMD_F085 IGBT 600V 40A TO247
864-8877 FGH60N60SMD_F085 IGBT 600V 60A TO247
135-8687 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650V 40A TO263
135-8663 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650V 40A TO263（每包 800 個）
864-8871 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650V 75A TO247
124-1447 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650V 75A TO247（每包 30 個）

注

所述電流額定值在結(jié)點溫度為 Tc = +100°C 時適用。

標準

AEC-Q101

IGBT 分立件和模塊，F(xiàn)airchild Semiconductor

絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三極管功率半導(dǎo)體設(shè)備，以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個設(shè)備中，將 MOSFET 的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。

屬性	數(shù)值
最大連續(xù)集電極電流	120 A
最大集電極-發(fā)射極電壓	600 V
最大柵極發(fā)射極電壓	±20V
最大功率耗散	600 W
封裝類型	TO-247
安裝類型	通孔
通道類型	N
引腳數(shù)目	3
晶體管配置	單
尺寸	15.6 x 4.7 x 20.6mm

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onsemi FGH60N60SMD-F085 IGBT

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特點

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注

標準

IGBT 分立件和模塊，F(xiàn)airchild Semiconductor

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