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      IXYS IXYJ20N120C3D1 IGBT

      訂 貨 號:IXYJ20N120C3D1      品牌:艾賽思_IXYS

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      IXYS IXYJ20N120C3D1 IGBT
      產品詳細信息

      IGBT 分立元件,IXYS XPT 系列

      IXYS 的 XPT? 系列分立件 IGBT 采用超輕穿通薄芯片技術,可降低熱電阻和能源損耗。 這些設備提供快速切換時間,具有低尾線電流,并提供各種工業(yè)標準和專有封裝。

      高功率密度和低 VCE(sat)
      方形反向偏置安全工作區(qū)域 (RBSOA) 高達額定擊穿電壓
      短路容量,確保 10usec
      正向通態(tài)電壓溫度系數(shù)
      可選 Co-Pack Sonic-FRD? 或 HiPerFRED? 二極管
      國際標準和專有高電壓封裝

      IGBT 分立元件和模塊,IXYS

      絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導體設備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關的雙極性功率晶體管組合在單個設備中,將 MOSFET 的簡單柵極驅動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。


      屬性 數(shù)值
      最大連續(xù)集電極電流 21 A
      最大集電極-發(fā)射極電壓 1200 V
      最大柵極發(fā)射極電壓 ±20V
      最大功率耗散 105 W
      封裝類型 TO-247
      安裝類型 通孔
      通道類型 N
      引腳數(shù)目 3
      開關速度 50kHz
      晶體管配置
      尺寸 16.13 x 5.21 x 21.34mm
      暫無

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