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      產(chǎn)品分類

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      onsemi ISL9V2040D3ST IGBT

      訂 貨 號:ISL9V2040D3ST      品牌:意法半導體_ST

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      onsemi ISL9V2040D3ST IGBT
      產(chǎn)品詳細信息

      分離式 IGBT,F(xiàn)airchild Semiconductor

      IGBT 分立件和模塊,F(xiàn)airchild Semiconductor

      絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三極管功率半導體設備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關的雙極性功率晶體管組合在單個設備中,將 MOSFET 的簡單柵極驅動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。


      屬性 數(shù)值
      最大連續(xù)集電極電流 10 A
      最大集電極-發(fā)射極電壓 450 V
      最大柵極發(fā)射極電壓 ±14V
      最大功率耗散 130 W
      封裝類型 DPAK (TO-252)
      安裝類型 表面貼裝
      通道類型 N
      引腳數(shù)目 3
      晶體管配置
      尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm
      暫無

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