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訂 貨 號(hào):6MBi300V-120-50 品牌:富士_Fuji
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
V - 系列,第 6 代現(xiàn)場(chǎng)擋塊
U/U4 系列,第 5 代現(xiàn)場(chǎng)擋塊
S - 系列,第 4 代 NPT
模塊內(nèi)每晶體的最大集電極電流 (Ic) 值是額定的。
絕緣柵級(jí)雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導(dǎo)體設(shè)備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個(gè)設(shè)備中,將 MOSFET 的簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
最大連續(xù)集電極電流 | 300 A |
最大集電極-發(fā)射極電壓 | 1200 V |
最大柵極發(fā)射極電壓 | ±20V |
最大功率耗散 | 1600 W |
封裝類型 | M629 |
配置 | 3 相橋接 |
安裝類型 | PCB(印刷電路板)安裝 |
通道類型 | N |
引腳數(shù)目 | 29 |
晶體管配置 | 3 相 |
尺寸 | 162 x 150 x 17mm |