<rt id="m4md3"></rt>
  • <bdo id="m4md3"><meter id="m4md3"></meter></bdo>
  • <label id="m4md3"></label>
      <center id="m4md3"><optgroup id="m4md3"></optgroup></center>
      產(chǎn)品分類

      當前位置: 首頁 > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無源元器件 > IGBT器件 > 低功率IGBT

      +比較

      onsemi FGB7N60UNDF IGBT

      訂 貨 號:FGB7N60UNDF      品牌:安森美_Onsemi

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

      品牌商價:¥0.00

      環(huán) 球 價: 登陸后可查看

      -
      +

      公司基本資料信息







      • 關(guān)聯(lián)產(chǎn)品
      • 替代產(chǎn)品
      • 產(chǎn)品介紹
      • 產(chǎn)品屬性
      • 相關(guān)資料
      • 產(chǎn)品評價(0)
      onsemi FGB7N60UNDF IGBT
      產(chǎn)品詳細信息

      分離式 IGBT,F(xiàn)airchild Semiconductor

      IGBT 分立件和模塊,F(xiàn)airchild Semiconductor

      絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三極管功率半導(dǎo)體設(shè)備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個設(shè)備中,將 MOSFET 的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。


      屬性 數(shù)值
      最大連續(xù)集電極電流 14 A
      最大集電極-發(fā)射極電壓 600 V
      最大柵極發(fā)射極電壓 ±20V
      最大功率耗散 83 W
      封裝類型 D2PAK (TO-263)
      安裝類型 表面貼裝
      通道類型 N
      引腳數(shù)目 3
      晶體管配置
      尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm
      暫無

      正在載入評論詳細...
      主站蜘蛛池模板: 91精品国产综合久| 亚洲欧美日韩综合俺去了| 国产亚洲综合久久| 狠狠色丁香九九婷婷综合五月| 色婷婷综合缴情综免费观看| 亚洲色婷婷综合久久| 丁香五月综合缴情综合| 青青热久久综合网伊人| 一本久道综合在线无码人妻| 亚洲另类激情综合偷自拍图| 成人综合久久精品色婷婷| 国产亚洲欧洲Aⅴ综合一区| 色综合天天综合狠狠| 亚洲综合国产一区二区三区| 日本久久综合久久综合| 狠狠色成人综合首页| 久久久久久综合网天天| 婷婷综合久久中文字幕蜜桃三电影| 精品久久久久久亚洲综合网| 伊人yinren6综合网色狠狠 | 狠狠色婷婷狠狠狠亚洲综合 | 久久婷婷五月综合尤物色国产 | 狠狠色丁香婷婷综合潮喷| 色综合久久最新中文字幕| 久久婷婷成人综合色| 久久精品国产9久久综合| 亚洲狠狠婷婷综合久久久久| 一本大道AV伊人久久综合| 一本一本久久a久久精品综合 | 国产成人综合久久精品免费| 色综合久久加勒比高清88| 欧美日韩色另类综合| 色噜噜狠狠色综合中国| 伊人久久青草青青综合| 婷婷五月综合色视频| 色综合久久久久综合体桃花网| 亚洲综合区图片小说区| 五月婷婷激情综合| 天啪天天久久天天综合啪| 六月丁香婷婷综合| 国产成人综合久久综合|