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      STMicroelectronics STGW75H65DFB2-4 IGBT

      訂 貨 號:STGW75H65DFB2-4      品牌:Tronics

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      STMicroelectronics STGW75H65DFB2-4 IGBT
      產品詳細信息

      STMicroelectronics 650 v HB2 系列代表先進 Advanced gate field-stop 結構的演變。由于在低電流值下具有更好的 vce ( sat )行為、以及在降低切換能量方面、 HB2 系列的傳導性能得到了優化。

      最大接點溫度: tj = 175 °c
      低 vce ( sat ) = 1.55 v (典型值) @ ic = 75 a
      非常快速且軟恢復的共封二極管
      最小化尾電流
      嚴格的參數分布
      低熱阻
      正 vce ( sat )溫度系數
      得益于額外的開開著引腳、具有極佳的切換性能


      屬性 數值
      最大連續集電極電流 115 A
      最大集電極-發射極電壓 650 V
      最大柵極發射極電壓 ±20V
      晶體管數 1
      最大功率耗散 357 W
      封裝類型 TO-247
      引腳數目 4
      暫無

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