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onsemi FGH30S130P IGBT

訂貨號(hào)：FGH30S130P 品牌：安森美_Onsemi

庫(kù)存數(shù)量：10 品牌屬性：

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分離式 IGBT、1000V 及以上，F(xiàn)airchild Semiconductor

ON Semiconductor FGH30S130P 是一款具有短路陽(yáng)極和現(xiàn)場(chǎng)停止溝道技術(shù)的 1300V 、 30A IGBT 。軟交換應(yīng)用非常適合 FGH 30S130P ，具有高效傳導(dǎo)和高開(kāi)關(guān)性能特性。FGH30S130P IGBT 可在并行配置下工作，并提供強(qiáng)大的雪崩功能。
FGH 30S130P IGBT 設(shè)計(jì)用于感應(yīng)加熱、微波爐和其他家用電器。

? TO-247 封裝
?高速切換
?出色的傳導(dǎo)性能
? 低飽和電壓
? 高輸入阻抗

可選型號(hào)：
864-8849- 每包裝 2 個(gè)
166-3300- 管 30

IGBT 分立件和模塊，F(xiàn)airchild Semiconductor

絕緣柵級(jí)雙極性晶體管或 IGBT 是一種三極管功率半導(dǎo)體設(shè)備，以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過(guò)將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開(kāi)關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個(gè)設(shè)備中，將 MOSFET 的簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。

屬性	數(shù)值
最大連續(xù)集電極電流	60 A
最大集電極-發(fā)射極電壓	1300 V
最大柵極發(fā)射極電壓	±25V
最大功率耗散	500 W
封裝類型	TO-247
安裝類型	通孔
通道類型	N
引腳數(shù)目	3
晶體管配置	單
尺寸	15.87 x 4.82 x 20.82mm

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