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      威世 SIA456DJ-T1-GE3 IGBT
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號：SIA456DJ-T1-GE3        品牌：威世_Vishay
      
                      
       庫存數量：10                    品牌屬性：
      
                      
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               威世 SIA456DJ-T1-GE3 IGBT
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                            Vishay SIA456DJ 是 N 溝道 MOSFET ，具有 200V 的漏極至源電壓 (VDS) 和 16V 的柵極至源電壓 (VGS)。它采用 POWER PAK SC-70 封裝。它在 4.5VGS 時提供 1.38ohm 的漏極到源電阻 (RDS) ，在 2.5VGS 時提供 1.5ohm 的電阻。最大漏極電流 2.6A。 
                        
                    
      
                
                
            
                
                
                
                    
      
                        
                            Trench FET 功率 MOSFET
      熱增強型 Power PAK SC-70 封裝
      占地面積小 
                        
                    
      
                
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
             
      
              
              
              
              
              
              
            
      
            

            
      
          
      

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