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      產(chǎn)品分類

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      +比較

      威世 SIA433EDJ-T1-GE3 IGBT

      訂 貨 號:SIA433EDJ-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

      品牌商價:¥0.00

      環(huán) 球 價: 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      威世 SIA433EDJ-T1-GE3 IGBT
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      Vishay MOSFET

      Vishay 表面安裝 P 溝道 PowerPAK-SC70-6 MOSFET 是一款新時代的產(chǎn)品,漏極源電壓為 20V ,最大柵極源電壓為 12V。在 4.5V 的柵極源電壓下,漏極源電阻為 18mms。它的最大功耗為 19W ,連續(xù)漏極電流為 12A。它的最小和最大驅(qū)動電壓分別為 1.8V 和 4.5V。此產(chǎn)品經(jīng)過優(yōu)化,可降低切換和傳導(dǎo)損耗。MOSFET 提供出色的效率以及長且高效的使用壽命,而不會影響性能或功能。

      特點(diǎn)和優(yōu)勢

      ?內(nèi)置 ESD 保護(hù),帶齊納二極管
      ? 無鹵素
      ?無鉛 (Pb) 組件
      ?低接通電阻
      ?新型熱增強(qiáng)型 PowerPAK SC-70 封裝
      ?工作溫度范圍 -55°C 至 150°C
      ?占地面積小
      ? TrenchFET 功率 MOSFET
      ?典型 ESD 性能為 1800V

      應(yīng)用

      ?蓄電池開關(guān)
      ?充電器開關(guān)
      ?負(fù)載開關(guān)
      ? 便攜式設(shè)備

      認(rèn)證

      ? ANSI/ESD S20.20 : 2014
      ? BS EN 61340-5-1 : 2007
      ?經(jīng)過 RG 測試


      暫無

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