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Infineon DF200R07W2H3B77BPSA1 IGBT

訂貨號(hào)：DF200R07W2H3B77BPSA1 品牌：英飛凌_Infineon

庫(kù)存數(shù)量：10 品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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Infineon DF200R07W2H3B77BPSA1 IGBT

產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon 的這款 EasyPACK 2B 650 V、100 A 3 級(jí) IGBT 模塊配有 Trench/Fieldtop IGBT H3 和快速二極管以及 PressFIT / NTC。該器件采用緊湊型設(shè)計(jì)，使用便捷，性能得到了優(yōu)化。該器件具備額外的優(yōu)勢(shì)，如阻斷電壓能力提高到 650 V、低電感設(shè)計(jì)、低開(kāi)關(guān)損耗和低 VCE (sat)。它使用 Al2O3 基片和 PressFIT 觸點(diǎn)技術(shù)，熱電阻低。由于隨附集成式安裝夾，該器件安裝牢固。該器件提供增壓器配置，采用 IGBT HighSpeed 3 技術(shù)。

性?xún)r(jià)比最高，且降低系統(tǒng)成本
設(shè)計(jì)自由度高
效率最高，功率密度最高

屬性	數(shù)值
最大連續(xù)集電極電流	40 A，70 A
最大集電極-發(fā)射極電壓	650 V
最大柵極發(fā)射極電壓	±20V
最大功率耗散	20 mW
晶體管數(shù)	4

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