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      產(chǎn)品分類

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      onsemi NGTB30N60IHLWG IGBT

      訂 貨 號:NGTB30N60IHLWG      品牌:安森美_Onsemi

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      onsemi NGTB30N60IHLWG IGBT
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      IGBT 分立,On Semiconductor

      絕緣柵級雙極性晶體管 (IGBT),用于電動機驅(qū)動器和其他高電流切換應用。

      IGBT 分立,On Semiconductor

      絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導體設備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關的雙極性功率晶體管組合在單個設備中,將 MOSFET 的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。


      屬性 數(shù)值
      最大連續(xù)集電極電流 60 A
      最大集電極-發(fā)射極電壓 600 V
      最大柵極發(fā)射極電壓 ±20V
      最大功率耗散 250 W
      封裝類型 TO-247
      安裝類型 通孔
      通道類型 N
      引腳數(shù)目 3
      晶體管配置
      尺寸 16.26 x 5.3 x 21.08mm
      暫無

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