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Infineon IKW75N65ES5XKSA1 IGBT

訂貨號：IKW75N65ES5XKSA1 品牌：英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：進(jìn)口

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Infineon TrenchStop IGBT 晶體管，600 和 650V

一系列 Infineon IGBT 晶體管，集電極-發(fā)射器電壓額定值為 600 和 650V，采用 TrenchStop? 技術(shù)。該系列包括帶有集成高速、快速恢復(fù)反并聯(lián)二極管的設(shè)備。

? 集電極-發(fā)射器電壓范圍為 600 至 650V
? 極低的 VCEsat
? 低斷開損耗
? 短尾線電流
? 低 EMI
? 最大接點溫度為 175°C

IGBT 分立件和模塊，Infineon

絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導(dǎo)體設(shè)備，以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個設(shè)備中，將 MOSFET 的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。

屬性	數(shù)值
最大連續(xù)集電極電流	80 A
最大集電極-發(fā)射極電壓	650 V
最大柵極發(fā)射極電壓	±20 V, ±30V
晶體管數(shù)	1
最大功率耗散	395 W
封裝類型	TO-247
安裝類型	通孔
通道類型	N
引腳數(shù)目	3
開關(guān)速度	30kHz
晶體管配置	單
尺寸	16.13 x 5.21 x 21.1mm

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