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onsemi NGTB30N120LWG IGBT

訂貨號(hào)：NGTB30N120LWG 品牌：安森美_Onsemi

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IGBT 分立，On Semiconductor

絕緣柵級(jí)雙極性晶體管 (IGBT)，用于電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他高電流切換應(yīng)用。

IGBT 分立，On Semiconductor

絕緣柵級(jí)雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導(dǎo)體設(shè)備，以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過(guò)將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開(kāi)關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個(gè)設(shè)備中，將 MOSFET 的簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。

屬性	數(shù)值
最大連續(xù)集電極電流	60 A
最大集電極-發(fā)射極電壓	1200 V
最大柵極發(fā)射極電壓	±20V
晶體管數(shù)	1
最大功率耗散	260 W
封裝類型	TO-247
安裝類型	通孔
通道類型	N
引腳數(shù)目	3
晶體管配置	單
尺寸	16.26 x 5.3 x 21.08mm

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