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      產(chǎn)品分類

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      STMicroelectronics STGB30H65DFB2 IGBT

      訂 貨 號:STGB30H65DFB2      品牌:Tronics

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

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      STMicroelectronics STGB30H65DFB2 IGBT
      產(chǎn)品詳細信息

      STMicroelectronics 650 v HB2 系列代表先進 Advanced gate field-stop 結(jié)構(gòu)的演變。由于在低電流值下具有更好的 vce ( sat )行為、以及在降低切換能量方面、 HB2 系列的傳導性能得到了優(yōu)化。

      最大接點溫度: tj = 175 °c
      低 vce ( sat ) = 1.65 v (典型值) @ ic = 30 a
      非常快速且軟恢復的共封二極管
      最小化尾電流
      嚴格的參數(shù)分布


      屬性 數(shù)值
      最大連續(xù)集電極電流 50 A
      最大集電極-發(fā)射極電壓 650 V
      最大柵極發(fā)射極電壓 ±20V
      最大功率耗散 167 W
      晶體管數(shù) 1
      封裝類型 D2PAK (TO-263)
      引腳數(shù)目 3
      暫無

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