The device is a NPN transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar transistor for linear amplifier) technology. The resulting transistor shows good gain linearity behaviour.
High breakdown voltage VCEO = 140 V
Typical ft = 20 MHz
Fully characterized at 125 oC
Application
Power supply
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
晶體管類型 | NPN |
最大直流集電極電流 | 20 A |
最大集電極-發(fā)射極電壓 | 140 V |
封裝類型 | TO |
安裝類型 | 通孔 |
最大功率耗散 | 100 W |
最小直流電流增益 | 60 |
晶體管配置 | 單 |
最大集電極-基極電壓 | 200 V |
最大發(fā)射極-基極電壓 | 6 V |
最大工作頻率 | 20 MHz |
引腳數(shù)目 | 3 |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |