nductor Insights公司發(fā)現(xiàn)美光的95nm 512Mb  DDR2、78nm 1Gbit DDR3和 78nm 2Gbit DDR2 DRAM都采用了基于6F2的設(shè)計。Semiconductor Insights公司最近在分析了三星的80nm DDR2器件后透露道,三星在其Rev. E DRAM中也采用了基于6F2的設(shè)計。通過比較三星的6F2 80nm DDR2 DRAM和8F2 90nm DDR2器件設(shè)計后可以總結(jié)出6F2的優(yōu)劣及設(shè)計挑戰(zhàn)。通過對比三星基于6F2的80nm DDR2設(shè)計與現(xiàn)代公司基于8F2的80nm DDR2器件,就可以直接比較基于6F2和基于8F2的設(shè)計。

nductor Insights的分析顯示,三星設(shè)計團(tuán)隊采用6F2技術(shù)開發(fā)的新的512Mb  DDR2 DRAM與前一代設(shè)計看起來有很大不同。每個陣列塊(包含單元陣列和位線檢測放大器的創(chuàng)建塊)現(xiàn)在具有320個字線(wordline),比90nm 8F2設(shè)計的每塊512個字線要少。似乎三星是減少了與位線連接的單元數(shù)量,以減輕陣列噪聲效應(yīng),并幫助6F2陣列設(shè)計中的檢測和恢復(fù)操作。

表1:三星8F2和6F2設(shè)計的比較。

nductor Insights分析了兩款分別來自三星和現(xiàn)代的具有可比性的80nm DDR2設(shè)計(表2)。

表2:80nm DDR2 DRAM設(shè)計比較:6F2對8F2。

圖1:三星的90nm 512Mb DDR2 DRAM(Rev.C)繼續(xù)采用8F2架構(gòu)。

圖2:三星的80nm 512Mb DDR2 DRAM(Rev.E)轉(zhuǎn)用6F2設(shè)計。

作者:Young Choi

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