這兩種工藝技術采用應變硅和藍寶石襯底,主要用于RF無線和寬帶市場,用來改進硅芯片的速度和功耗。這些先進材料具有抗輻射特性,可用于航天應用。IQE稱,經過進一步開發,這些材料還可用于工業電子、消費電子和汽車電子器件的高級微控制器。

“一種新工藝已經通過了一個重要客戶的全面驗證并將立即進入量產,”IQE Silicon的運營經理Moz Fisher這樣介紹。“第二種工藝需要針對客戶的應用進行一些重要的重新設計,這將延長驗證時間,但也有望在未來兩年進入量產。”

該工藝的開發與Welsh Assembly Government的SMART項目一致,并受到了后者的資金支持。

IQE的硅外延操作可以獲得具有埋置型外延層的硅晶圓、具有應變硅的SOI和藍寶石晶圓、多層和部分外延的晶圓以及鍺和SiGe外延晶圓。