face="Arial" sty　　傳感器技術(shù)是現(xiàn)代科技的前沿技術(shù)，傳感器產(chǎn)業(yè)也是國(guó)內(nèi)外公認(rèn)的具有發(fā)展前途的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)，它以其技術(shù)含量高、經(jīng)濟(jì)效益好、滲透能力強(qiáng)、市場(chǎng)前景廣等特點(diǎn)為世人矚目。

　　我國(guó)自動(dòng)化方面的專(zhuān)家呼吁：目前復(fù)雜系統(tǒng)越來(lái)越復(fù)雜，自動(dòng)化已經(jīng)陷入低谷，其主要原因之一是傳感技術(shù)的落后，一方面表現(xiàn)為傳感器在感知信息方面的落后；另一方面也表現(xiàn)為傳感器自身在智能化和網(wǎng)絡(luò)化方面的技術(shù)落后。

　　分析
　　而技術(shù)推動(dòng)是加速傳感器技術(shù)發(fā)展的保證和機(jī)遇。幾十年來(lái)，以微電子技術(shù)為基礎(chǔ)，促進(jìn)了傳感器技術(shù)的發(fā)展。未來(lái)10～20年，傳統(tǒng)硅技術(shù)將進(jìn)入成熟期(預(yù)測(cè)為 2014年～2017年)。屆時(shí)，直徑300mm硅晶片將大量用于生產(chǎn)，使得硅的低成本制造技術(shù)和硅的應(yīng)用技術(shù)將得到空前的發(fā)展，這無(wú)疑將為研制生產(chǎn)微型傳感器、智能傳感器等新型傳感器提供技術(shù)保障。從總體發(fā)展看，傳統(tǒng)硅技術(shù)將一直延續(xù)到2047年(即晶體管發(fā)明100周年)才趨于飽和(即達(dá)到芯片特征尺寸的極限)和衰退。而當(dāng)前微電子技術(shù)仍將依循“等縮比原理”和“摩爾定律”兩條基礎(chǔ)規(guī)律走下去，在盡力逼近傳統(tǒng)硅技術(shù)極限中，不斷擴(kuò)展硅的跨學(xué)科橫向應(yīng)用 (如MEMS等)和突破“非穩(wěn)態(tài)物理器件”(量子、分子器件)，而上述微電子技術(shù)發(fā)展中的兩大方向正是當(dāng)前乃至未來(lái)20年傳感器技術(shù)的主要發(fā)展方向。

　　同時(shí)，多學(xué)科、多種高新技術(shù)的交叉融合，推動(dòng)了新一代傳感器的誕生與發(fā)展。例如：當(dāng)前我國(guó)正在重點(diǎn)開(kāi)發(fā)的MEMS(微電子與微機(jī)械的結(jié)合)、 MOMES(MEMS與微光學(xué)的結(jié)合)、智能傳感器(MEMS與CPU、信息控制技術(shù)的結(jié)合)、生物化學(xué)傳感器(MEMS與生物技術(shù)、電化學(xué)的結(jié)合)等以及今后將大力開(kāi)發(fā)的網(wǎng)絡(luò)化傳感器(MEMS網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的結(jié)合)、納米傳感器(納米技術(shù)與傳感技術(shù)的結(jié)合)均是多學(xué)科、多種學(xué)科技術(shù)交叉融合的新一代傳感器。

　　(1)傳感器產(chǎn)業(yè)化發(fā)展模式。

　　要加速形成從傳感器研究開(kāi)發(fā)到大生產(chǎn)一條龍的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展模式，走自主創(chuàng)新和國(guó)際合作相結(jié)合的跨越式發(fā)展道路，使我國(guó)成為世界傳感器的生產(chǎn)大國(guó)。

　　(2)傳感器產(chǎn)品結(jié)構(gòu)向全面、協(xié)調(diào)、持續(xù)發(fā)展。

　　產(chǎn)品品種要向高技術(shù)、高附加值傾斜，尤其要填補(bǔ)“空白”品種。

　　(3)企業(yè)生產(chǎn)規(guī)模(年生產(chǎn)能力)向規(guī)模經(jīng)濟(jì)或適宜規(guī)模經(jīng)濟(jì)發(fā)展。

　　量大面廣的通用傳感器的生產(chǎn)規(guī)模將以年億只計(jì)，一些中檔傳感器的生產(chǎn)規(guī)模將以年產(chǎn)1000萬(wàn)只(含以上)計(jì)；而一些高檔傳感器和專(zhuān)用傳感器的生產(chǎn)規(guī)模將以年產(chǎn)幾十萬(wàn)只～幾百萬(wàn)只計(jì)。

　　(4)生產(chǎn)格局向?qū)I(yè)化發(fā)展。